SAMSUNG6_回收内存芯片上门回收
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这不仅意味著安森美将得到300mm晶圆制造和研发专业团队,协助将其晶圆制程由200mm升级成300mm。同时,安森美也能立即获得高阶CMOS产品制造能力,包含45nm和65nm的制程技术,这些制程技术将奠定安森美未来的技术研发基础。
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4月16日,三星宣布完成5nm FinFET工艺开发,台积电则推出了6nm(N6)工艺,都将利用EUV光刻,在2020年开始投产。
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